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onsemi
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 50 V 1.2 A 1 W Durchkontaktierung TO-226-3
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TN6725A

DigiKey-Teilenr.
TN6725A-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
TN6725A
Beschreibung
TRANS NPN DARL 50V 1.2A TO-226-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 50 V 1.2 A 1 W Durchkontaktierung TO-226-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1.2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,5V bei 2mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
4000 bei 1A, 5V
Leistung - Max.
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-226-3
Basis-Produktnummer
TN6725
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