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NXV08A170DB2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 488-NXV08A170DB2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NXV08A170DB2 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA |
Standardlieferzeit des Herstellers | 33 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 80V 200A (Tj) Durchkontaktierung APM12-CBA |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Hersteller onsemi | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 195nC bei 10V |
Verpackung Tablett | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 14000pF bei 40V |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Klasse Automobiltechnik |
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke) | Qualifizierung AEC-Q100 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 200A (Tj) | Gehäuse / Hülle 12-poliges PowerDIP-Modul (1,118", 28,40mm) |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,99mOhm bei 80A, 10V, 1,35mOhm bei 80A, 10V | Gehäusetyp vom Lieferanten APM12-CBA |
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Menge
Alle Preise in EUR
Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 17,79000 | € 17,79 |
| 10 | € 12,77400 | € 127,74 |
| 288 | € 10,17788 | € 2 931,23 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 17,79000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 21,70380 |
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