


NXH008P120M3F1PTG | |
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DigiKey-Teilenr. | 5556-NXH008P120M3F1PTG-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NXH008P120M3F1PTG |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 145A |
Standardlieferzeit des Herstellers | 19 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 145 A (Tc) 382W (Tj) Chassisbefestigung |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | onsemi | |
Serie | - | |
Verpackung | Tablett | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 145 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 10,9mOhm bei 120A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,4V bei 60mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 419nC bei 18V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 8334pF bei 800V | |
Leistung - Max. | 382W (Tj) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | - | |
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 85,54000 | € 85,54 |
| 28 | € 70,57679 | € 1 976,15 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 85,54000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 104,35880 |


