NXH008P120M3F1PTG
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXH008P120M3F1PTG
NXH008P120M3F1PTG

NXH008P120M3F1PTG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH008P120M3F1PTG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH008P120M3F1PTG
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Standardlieferzeit des Herstellers
19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 145 A (Tc) 382W (Tj) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
145 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10,9mOhm bei 120A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,4V bei 60mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
419nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8334pF bei 800V
Leistung - Max.
382W (Tj)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Basis-Produktnummer
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