NXH004P120M3F2PTNG
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXH004P120M3F2PTNG
NXH004P120M3F2PTNG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH003P120M3F2PTNG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH003P120M3F2PTNG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH003P120M3F2PTNG
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 435A (Tj) 1,48kW (Tj) Chassisbefestigung 36-PIM (56,7x62,8)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
435A (Tj)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5mOhm bei 200A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,4V bei 160mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1200nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
20889pF bei 800V
Leistung - Max.
1,48kW (Tj)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
36-PIM (56,7x62,8)
Basis-Produktnummer
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