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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

NVTFS4C08NTWG
onsemi
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N-Kanal 30 V 17 A (Ta) 3,1W (Ta), 31W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVTFS4C08NTAG

DigiKey-Teilenr.
NVTFS4C08NTAGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
NVTFS4C08NTAGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NVTFS4C08NTAG
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 17 A (Ta) 3,1W (Ta), 31W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
NVTFS4C08NTAG Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
17 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,9mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1113 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,1W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-WDFN (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
NVTFS4
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