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Parametrisches Äquivalent

NVMFS5C460NLAFT1G
onsemi
Vorrätig: 856
Stückpreis : € 2,09000
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Parametrisches Äquivalent

NVMFS5C460NLAFT3G
onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,60443

Parametrisches Äquivalent

NVMFS5C460NLET1G-YE
onsemi
Vorrätig: 1 500
Stückpreis : € 1,18000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

NVMFS5C460NLWFAFT1G
onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 2,32000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

NVMFS5C460NLWFAFT3G
onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,63950
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N-Kanal 40 V 21 A (Ta), 78 A (Tc) 3,6W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFS5C460NLAFT1G-YE

DigiKey-Teilenr.
488-NVMFS5C460NLAFT1G-YE-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NVMFS5C460NLAFT1G-YE
Beschreibung
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Standardlieferzeit des Herstellers
50 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 40 V 21 A (Ta), 78 A (Tc) 3,6W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
21 A (Ta), 78 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,5mOhm bei 35A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,6W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer
NVMFS5
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