Name: NVH4L030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVH4L030N120M3S-ND
Price: 28.6944 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 73 A (Tc) 313W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVH4L030N120M3S
DigiKey-Teilenr.	5556-NVH4L030N120M3S-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVH4L030N120M3S
Beschreibung	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 73 A (Tc) 313W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 107 nC @ 18 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) +22V, -10V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2430 pF @ 800 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 313W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 73 A (Tc)	Montagetyp Durchkontaktierung
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 39mOhm bei 30A, 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 15mA

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 324

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 23,52000	€ 23,52
30	€ 15,11300	€ 453,39
120	€ 13,31058	€ 1 597,27

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.