Name: NTTFD1D8N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD1D8N02P1E-ND
Price: 2.3302 EUR
Availability: InStock

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NTTFD1D8N02P1E
DigiKey-Teilenr.	488-NTTFD1D8N02P1E-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTTFD1D8N02P1E
Beschreibung	MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
Standardlieferzeit des Herstellers	41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) Oberflächenmontage 8-PQFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,2mOhm bei 15A, 10V, 1,4mOhm bei 29A, 10V
Hersteller onsemi	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 190µA, 2V bei 310µA
Serie PowerTrench®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5,5nC bei 4,5V, 17nC bei 4,5V
Verpackung Lose im Beutel	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 873pF bei 15V, 2700pF bei 15V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration N-Kanal (zweifach), asymmetrisch	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V	Gehäuse / Hülle 8-PowerWDFN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11A (Ta), 21A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (3,3x3,3)

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