Name: NTT2012N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTT2012N065M3STR-ND
Price: 13.2248 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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NTT2012N065M3S
DigiKey-Teilenr.	5556-NTT2012N065M3STR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 5556-NTT2012N065M3SCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 5556-NTT2012N065M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTT2012N065M3S
Beschreibung	ELITESIC, 12 MOHM, 650 V, M3S,T2
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 112 A (Tc) 429W (Tc) Oberflächenmontage T2PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 20mA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 135 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +22V, -10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3610 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 429W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 112 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten T2PAK
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), Variante
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 16,8mOhm bei 40A, 18V