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N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 65W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 65W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

NTP8G202NG

DigiKey-Teilenr.
NTP8G202NGOS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NTP8G202NG
Beschreibung
GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 65W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
8V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
350mOhm bei 5,5A, 8V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,6V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
760 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
65W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
NTP8G2
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