N-Kanal 100 V 58 A (Tc) 167W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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NTP6412ANG

DigiKey-Teilenr.
NTP6412ANGOS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NTP6412ANG
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 58 A (Tc) 167W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
58 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
18,2mOhm bei 58A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
167W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
NTP6412
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