Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 7.6616 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMTSC1D6N10MCTXG
DigiKey-Teilenr.	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMTSC1D6N10MCTXG
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta), 291W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 8-TDFNW (8,3x8,4)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTMTSC1D6N10MCTXG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35A (Ta), 267A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,7mOhm bei 90A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 650µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7630 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5,1W (Ta), 291W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-TDFNW (8,3x8,4)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	NTMTSC1