NTHD4P02FT1G onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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NTHD4P02FT1G
DigiKey-Teilenr.	NTHD4P02FT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTHD4P02FT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTHD4P02FT1G
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 2,2 A (Tj) 1,1W (Tj) Oberflächenmontage ChipFET™
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6 nC @ 4.5 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 300 pF @ 10 V
Status der Komponente Obsolet	FET-Merkmal Schottky-Diode (isoliert)
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,1W (Tj)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,2 A (Tj)	Gehäusetyp vom Lieferanten ChipFET™
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Gehäuse / Hülle 8-SMD, flache Anschlüsse
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 155mOhm bei 2,2A, 4,5V	Basis-Produktnummer NTHD4
Vgs(th) (max.) bei Id 1,2V bei 250µA

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