Name: NTB082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: NTB082N65S3FOSTR-ND
Price: 11.1996 EUR
Availability: InStock

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NTB082N65S3F
DigiKey-Teilenr.	NTB082N65S3FOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTB082N65S3FOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTB082N65S3FOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTB082N65S3F
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 40 A (Tc) 313W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTB082N65S3F Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 4mA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 81 nC @ 10 V
Serie SuperFET® III	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3410 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 313W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer NTB082
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 82mOhm bei 20A, 10V