Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung 1 NPN, 1 PNP - vorgespannt 50V 100mA 357mW Oberflächenmontage SOT-563
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NSVEMD4DXV6T5G

DigiKey-Teilenr.
2156-NSVEMD4DXV6T5G-488-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NSVEMD4DXV6T5G
Beschreibung
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 1 NPN, 1 PNP - vorgespannt 50V 100mA 357mW Oberflächenmontage SOT-563
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
250mV bei 300µA, 10mA
Hersteller
onsemi
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Verpackung
Lose im Beutel
Leistung - Max.
357mW
Status der Komponente
Aktiv
Klasse
Automobiltechnik
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - vorgespannt
Qualifizierung
AEC-Q101
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Montagetyp
Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Gehäuse / Hülle
SOT-563, SOT-666
Widerstand - Basis (R1)
47kOhm
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-563
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
47kOhm
Basis-Produktnummer
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 bei 5mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe
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