Name: NSV60101DMTWTBG
Brand: onsemi
SKU: NSV60101DMTWTBGOSTR-ND
Price: 1.0492 EUR
Availability: OutOfStock

NSV60101DMTWTBG ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

onsemi

Vorrätig: 3 283

Stückpreis : € 0,80000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NSV60101DMTWTBG
DigiKey-Teilenr.	NSV60101DMTWTBGOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NSV60101DMTWTBGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NSV60101DMTWTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NSV60101DMTWTBG
Beschreibung	TRANS 2NPN 60V 1A 6-WDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2 NPN (zweifach) 60V 1A 180MHz 2,27W Oberflächenmontage 6-WDFN (2x2)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NSV60101DMTWTBG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	2 NPN (zweifach)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	60V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	180mV bei 100mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	120 bei 500mA, 2V
Leistung - Max.	2,27W
Frequenz - Übergang	180MHz
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	6-WDFN mit freiliegendem Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-WDFN (2x2)
Basis-Produktnummer	NSV60101