NSV1C301ET4G-VF01 onsemi | Einzelne bipolare transistoren

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NSV1C301ET4G-VF01
DigiKey-Teilenr.	NSV1C301ET4G-VF01OSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NSV1C301ET4G-VF01OSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NSV1C301ET4G-VF01
Beschreibung	TRANS NPN 100V 3A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 100 V 3 A 120MHz 2.1 W Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NSV1C301ET4G-VF01 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 120 bei 1A, 2V
Herst. onsemi	Leistung - Max. 2.1 W
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Frequenz - Übergang 120MHz
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -65°C bis 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3 A	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 250mV bei 300mA, 3A	Basis-Produktnummer NSV1C301
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)

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Ersatzartikel (5)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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