Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Durchkontaktierung TO-204 (TO-3)
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MJ11012G

DigiKey-Teilenr.
MJ11012GOS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
MJ11012G
Beschreibung
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Durchkontaktierung TO-204 (TO-3)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
4V bei 300mA, 30A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 bei 20A, 5V
Leistung - Max.
200 W
Frequenz - Übergang
4MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 200°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-204 (TO-3)
Basis-Produktnummer
MJ11012
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