Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 800 V 1.5 A 15MHz 20 W Durchkontaktierung TO-126-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

KSC5026MOS

DigiKey-Teilenr.
KSC5026MOS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
KSC5026MOS
Beschreibung
TRANS NPN 800V 1.5A TO-126-3
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 800 V 1.5 A 15MHz 20 W Durchkontaktierung TO-126-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1.5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
800 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2V bei 150mA, 750mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20 bei 100mA, 5V
Leistung - Max.
20 W
Frequenz - Übergang
15MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126-3
Basis-Produktnummer
KSC5026
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Menge
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Standardverpackung des Herstellers
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