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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 60 V 700 mA 50MHz 800 mW Durchkontaktierung TO-92-3
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KSC1008GTA

DigiKey-Teilenr.
KSC1008GTATB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
KSC1008GTA
Beschreibung
TRANS NPN 60V 0.7A TO-92-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 60 V 700 mA 50MHz 800 mW Durchkontaktierung TO-92-3
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Band & Box (TB)
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
700 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
400mV bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
200 bei 500mA, 2V
Leistung - Max.
800 mW
Frequenz - Übergang
50MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
KSC1008
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