IRFNL210BTA-FP001 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Parametrisches Äquivalent


Rochester Electronics, LLC
Vorrätig: 387
Stückpreis : € 0,66292
Datenblatt
N-Kanal 200 V 1 A (Tc) 3,1W (Ta) Durchkontaktierung TO-92L
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFNL210BTA-FP001

DigiKey-Teilenr.
IRFNL210BTA-FP001-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFNL210BTA-FP001
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 1A TO92L
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 1 A (Tc) 3,1W (Ta) Durchkontaktierung TO-92L
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFNL210BTA-FP001 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Band & Box (TB)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
225 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92L
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Obsolet
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