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N-Kanal 600 V 9,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK)
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FQI10N60CTU

DigiKey-Teilenr.
FQI10N60CTU-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQI10N60CTU
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 9,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK)
Datenblatt
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FQI10N60CTU Modelle
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
730mOhm bei 4,75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2040 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,13W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Gehäuse / Hülle
TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
FQI1
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