N-Kanal 200 V 19 A (Tc) 43W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
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FQPF19N20C

DigiKey-Teilenr.
FQPF19N20C-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQPF19N20C
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 19 A (Tc) 43W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
FQPF19N20C Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
19 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
170mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1080 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
43W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
FQPF19
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