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STMicroelectronics
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Datenblatt
N-Kanal 600 V 3 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FQP3N60C

DigiKey-Teilenr.
FQP3N60CFS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQP3N60C
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 3 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,4Ohm bei 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
565 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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