N-Kanal 200 V 4 A (Tc) 12,8W (Tc) Durchkontaktierung TO-126-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQE10N20LCTU

DigiKey-Teilenr.
FQE10N20LCTU-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQE10N20LCTU
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 4 A (Tc) 12,8W (Tc) Durchkontaktierung TO-126-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FQE10N20LCTU Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
360mOhm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
19 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
490 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
12,8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126-3
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
Basis-Produktnummer
FQE1
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.
Nicht stornierbar / keine Rückgabe