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Parametrisches Äquivalent

FQD3P50TM
onsemi
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P-Kanal 500 V 2,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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P-Kanal 500 V 2,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
TO-252AA

FQD3P50TM-AM002BLT

DigiKey-Teilenr.
488-FQD3P50TM-AM002BLTTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQD3P50TM-AM002BLT
Beschreibung
MOSFET P-CH 500V 2.1A TO252
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 500 V 2,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2,1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,9Ohm bei 1,05A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
660 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer
FQD3P50
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