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FDP039N08B-F102 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FDP039N08B-F102-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDP039N08B-F102 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 32 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FDP039N08B-F102 Modelle |
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 133 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9450 pF @ 40 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 214W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,9mOhm bei 100A, 10V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 236 | TK65E10N1S1X-ND | € 3,86000 | Ähnlich |
| FDP039N08B-F102 | Rochester Electronics, LLC | 399 | 2156-FDP039N08B-F102ND-ND | € 4,59800 | Parametrisches Äquivalent |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 7,80000 | € 7,80 |
| 10 | € 5,34700 | € 53,47 |
| 100 | € 3,95650 | € 395,65 |
| 800 | € 3,49585 | € 2 796,68 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 7,80000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 9,51600 |
