Name: FDMS4D0N12C
Brand: onsemi
SKU: FDMS4D0N12COSTR-ND
Price: 6.1488 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDMS4D0N12C
DigiKey-Teilenr.	FDMS4D0N12COSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDMS4D0N12COSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDMS4D0N12COSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDMS4D0N12C
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Standardlieferzeit des Herstellers	45 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 18,5 A (Ta), 114 A (Tc) 2,7W (Ta), 106W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 370 A
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 82 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6460 pF @ 60 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,7W (Ta), 106W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (5x6)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18,5 A (Ta), 114 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer FDMS4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4mOhm bei 67A, 10V