N-Kanal 300 V 59 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PN
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FDA59N30

DigiKey-Teilenr.
FDA59N30-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FDA59N30
Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 300 V 59 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PN
Datenblatt
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Herst.
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Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
56mOhm bei 29,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4670 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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