N-Kanal 800 V 11 A (Tc) 35,7W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
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FCPF400N80Z

DigiKey-Teilenr.
FCPF400N80Z-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FCPF400N80Z
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 11 A (Tc) 35,7W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
FCPF400N80Z Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
SuperFET® II
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1,1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2350 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
35,7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
FCPF400
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