N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 43W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
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FCPF099N65S3

DigiKey-Teilenr.
FCPF099N65S3-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FCPF099N65S3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 43W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
FCPF099N65S3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
SuperFET® III
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
99mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2310 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
43W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
FCPF099
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