Name: FCP165N65S3
Brand: onsemi
SKU: FCP165N65S3OS-ND
Price: 5.2216 EUR
Availability: InStock

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FCP165N65S3
DigiKey-Teilenr.	FCP165N65S3OS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FCP165N65S3
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 19 A (Tc) 154W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FCP165N65S3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	SuperFET® III
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	19 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	165mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 1,9mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1500 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	154W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	FCP165

Fragen und Antworten zum Produkt

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50	€ 2,21960	€ 110,98
100	€ 2,02060	€ 202,06
500	€ 1,67220	€ 836,10
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