N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 181W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FCP125N65S3

DigiKey-Teilenr.
488-FCP125N65S3-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FCP125N65S3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 181W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCP125N65S3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
SuperFET® III
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 2,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1940 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
181W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP125
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Menge
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