FCH150N65F-F155 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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FCH150N65F-F155
DigiKey-Teilenr.	FCH150N65F-F155-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FCH150N65F-F155
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 298W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FCH150N65F-F155 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	SuperFET® II
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	150mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 2,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3737 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	298W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	FCH150

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