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BUZ11_R4941

DigiKey-Teilenr.
BUZ11_R4941-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
BUZ11_R4941
Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 50 V 30 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
BUZ11_R4941 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
50 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
BUZ11
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