N-Kanal 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
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BS170-D74Z

DigiKey-Teilenr.
BS170-D74ZCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
BS170-D74ZTB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BS170-D74Z
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 200mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
40 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
830mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Band & Box (TB)
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