N-Kanal 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92 (TO-226)
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BS108G

DigiKey-Teilenr.
BS108G-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
BS108G
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92 (TO-226)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
250mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2V, 2,8V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8Ohm bei 100mA, 2,8V
Vgs(th) (max.) bei Id
1,5V bei 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
150 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 langer Körper
Basis-Produktnummer
BS108
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Obsolet
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe