Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 1 A 3MHz 30 W Durchkontaktierung TO-126
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BD180G

DigiKey-Teilenr.
BD180GOS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
BD180G
Beschreibung
TRANS PNP 80V 1A TO-126
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 1 A 3MHz 30 W Durchkontaktierung TO-126
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
800mV bei 100mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 bei 150mA, 2V
Leistung - Max.
30 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126
Basis-Produktnummer
BD180
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