TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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2N7000

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2N7000FS-ND
cms-manufacturer
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2N7000
cms-description
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
cms-standard-lead-time
18 Wochen
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cms-detailed-description
N-Kanal 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
cms-datasheet
 cms-datasheet
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2N7000 Modelle
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cms-type
cms-description
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cms-category
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
cms-product-q-and-a

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Auf Lager: 27 124
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Lose im Beutel
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10€ 0,33300€ 3,33
100€ 0,21300€ 21,30
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2 000€ 0,13030€ 260,60
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10 000€ 0,10557€ 1 055,70
50 000€ 0,08961€ 4 480,50
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Stückpreis mit MwSt.:€ 0,65880