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Nexperia USA Inc.
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Datenblatt
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 500 mW Durchkontaktierung TO-92-3
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 500 mW Durchkontaktierung TO-92-3
TO-92-3

PDTA123YS,126

DigiKey-Teilenr.
PDTA123YS,126-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
PDTA123YS,126
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 500 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
10 kOhms
Hersteller
NXP USA Inc.
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
35 bei 5mA, 5V
Verpackung
Band & Box (TB)
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
150mV bei 500µA, 10mA
Status der Komponente
Obsolet
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1µA
Transistor-Typ
PNP mit Vorspannung
Leistung - Max.
500 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Montagetyp
Durchkontaktierung
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
Widerstände enthalten
R1 und R2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
PDTA123YU,115Nexperia USA Inc.2 5761727-PDTA123YU,115CT-ND€ 0,12000Ähnlich
Obsolet
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