Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 60 V 2 A 180MHz 325 mW Oberflächenmontage DFN1010D-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PBSS4260QAZ

DigiKey-Teilenr.
2156-PBSS4260QAZ-ND
Hersteller
NXP Semiconductors
Hersteller-Teilenummer
PBSS4260QAZ
Beschreibung
TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 60 V 2 A 180MHz 325 mW Oberflächenmontage DFN1010D-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 bei 2A, 2V
Herst.
Leistung - Max.
325 mW
Verpackung
Lose im Beutel
Frequenz - Übergang
180MHz
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Transistor-Typ
Klasse
Automobiltechnik
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Qualifizierung
AEC-Q100
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
190mV bei 50mA, 1A
Gehäuse / Hülle
3-XDFN mit freiliegendem Pad
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DFN1010D-3
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 265 000
Nicht stornierbar / keine Rückgabe
MARKTPLATZPRODUKT
Wird in etwa 10 Tagen von Rochester Electronics LLC versendet
Es wird eine separate Versandpauschale von € 77,34 erhoben.
Maximales kauflimit
Um alle Kunden im Bereich Forschung und Entwicklung unterstützen zu können, gilt für dieses Produkt eine maximale Bestellmenge. Dieses Limit kann alle 30 Tage erworben werden; Bestellungen darüber hinaus können storniert werden.
Lose im Beutel:265000
Alle Preise in EUR
Lose im Beutel
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1 227€ 0,20398€ 250,28
Stückpreis ohne MwSt.:€ 0,20398
Stückpreis mit MwSt.:€ 0,24886