NC1M120C75HTNG NovuSem | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NC1M120C75HTNG
DigiKey-Teilenr.	3372-NC1M120C75HTNG-ND
Hersteller	NovuSem
Hersteller-Teilenummer	NC1M120C75HTNG
Beschreibung	SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 47 A (Tc) 288W (Ta) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	NovuSem
Serie	NC1M
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	47 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	75mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,8V bei 5mA
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1450 pF @ 1000 V
Verlustleistung (max.)	288W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4L
Gehäuse / Hülle	TO-247-4