Name: NC1M120C12WDCU
Brand: NovuSem
SKU: 3372-NC1M120C12WDCU-ND
Price: 70.47241 EUR
Availability: InStock

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NC1M120C12WDCU
DigiKey-Teilenr.	3372-NC1M120C12WDCU-ND
Hersteller	NovuSem
Hersteller-Teilenummer	NC1M120C12WDCU
Beschreibung	SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	1200 V 214A (Tc) Oberflächenmontage Wafer
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	NovuSem
Serie	NC1M
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	214A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 40mA
Vgs (Max.)	+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8330 pF @ 1000 V
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	Wafer
Gehäuse / Hülle	Einsatz

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