1200 V 214A (Tc) Oberflächenmontage Wafer
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NC1M120C12WDCU

DigiKey-Teilenr.
3372-NC1M120C12WDCU-ND
Hersteller
NovuSem
Hersteller-Teilenummer
NC1M120C12WDCU
Beschreibung
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
1200 V 214A (Tc) Oberflächenmontage Wafer
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Herst.
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12mOhm bei 20A, 20V
Serie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 40mA
Verpackung
Tablett
Vgs (Max.)
+22V, -8V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8330 pF @ 1000 V
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
Wafer
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 218
Nicht stornierbar / keine Rückgabe
MARKTPLATZPRODUKT
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