PXN2R9-100RSJ Nexperia USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

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PXN2R9-100RSJ
cms-digikey-product-number	1727-PXN2R9-100RSJTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PXN2R9-100RSJCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PXN2R9-100RSJDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Nexperia USA Inc.
cms-manufacturer-product-number	PXN2R9-100RSJ
cms-description	PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 100 V 180 A (Ta) 181W (Ta) Oberflächenmontage MLPAK56
Datenblatt	Datenblatt

cms-product-attributes

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cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	180 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,9mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4892 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	181W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	MLPAK56
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN

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