Name: PSMN1R9-80SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R9-80SSEJTR-ND
Price: 8.8572 EUR
Availability: OutOfStock

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PSMN1R9-80SSEJ
DigiKey-Teilenr.	1727-PSMN1R9-80SSEJTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PSMN1R9-80SSEJCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PSMN1R9-80SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN1R9-80SSEJ
Beschreibung	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 286A (Tc) 340W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK88 (SOT1235)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	PSMN1R9-80SSEJ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	286A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,6V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	232 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	17140 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	340W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LFPAK88 (SOT1235)
Gehäuse / Hülle	SOT-1235
Basis-Produktnummer	PSMN1R9