GAN111-650WSBQ
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
GAN111-650WSBQ
Nexperia cascode GaN FETs

GAN111-650WSBQ

DigiKey-Teilenr.
1727-GAN111-650WSBQ-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GAN111-650WSBQ
Beschreibung
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 21 A (Ta) 107W (Ta) Durchkontaktierung TO-247-3L
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
114mOhm bei 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
4.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
336 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
107W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3L
Gehäuse / Hülle
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