Name: G3R40MT12D
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R40MT12D-ND
Price: 24.8026 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 71 A (Tc) 333W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3

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G3R40MT12D
DigiKey-Teilenr.	1913-G3R40MT12D-ND
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G3R40MT12D
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 71 A (Tc) 333W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	G3R40MT12D Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,69V bei 10mA
Herst. Navitas Semiconductor, Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 106 nC @ 15 V
Serie G3R™	Vgs (Max.) ±15V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2929 pF @ 800 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 333W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 71 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V	Basis-Produktnummer G3R40
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 48mOhm bei 35A, 15V

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Verfügbar bis: 31.05.2026

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 20,33000	€ 20,33
30	€ 12,89733	€ 386,92
120	€ 11,27300	€ 1 352,76
510	€ 11,06463	€ 5 642,96

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