Name: G3R12MT12K
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R12MT12K-ND
Price: 74.3102 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

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G3R12MT12K
DigiKey-Teilenr.	1913-G3R12MT12K-ND
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G3R12MT12K
Beschreibung	1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,7V bei 50mA
Herst. Navitas Semiconductor, Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 288 nC @ 15 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9335 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 567W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 157A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13mOhm bei 100A, 18V	Basis-Produktnummer G3R12M

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