Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 800 mW Durchkontaktierung TO-39
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JAN2N3019

DigiKey-Teilenr.
1086-2340-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
JAN2N3019
Beschreibung
TRANS NPN 80V 1A TO-39
Standardlieferzeit des Herstellers
48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 800 mW Durchkontaktierung TO-39
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 bei 500mA, 10V
Herst.
Leistung - Max.
800 mW
Verpackung
Lose im Beutel
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Status der Komponente
Aktiv
Klasse
Militärtechnik
Transistor-Typ
Qualifizierung
MIL-PRF-19500/391
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Montagetyp
Durchkontaktierung
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metallgehäuse
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 50mA, 500mA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10µA (ICBO)
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Alle Preise in EUR
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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Standardverpackung des Herstellers
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