Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 12 V 400 mW Durchkontaktierung TO-18 (TO-206AA)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N3960

DigiKey-Teilenr.
150-2N3960-ND
Hersteller
Microsemi Corporation
Hersteller-Teilenummer
2N3960
Beschreibung
TRANS NPN 12V TO18
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 12 V 400 mW Durchkontaktierung TO-18 (TO-206AA)
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Microsemi Corporation
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
12 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV bei 3mA, 30mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
60 bei 10mA, 1V
Leistung - Max.
400 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-18 (TO-206AA)
Basis-Produktnummer
2N3960
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